Samsung рассчитывает обеспечить скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с

Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E. Источник изображения: Samsung Electronics